Univerzitet u Ilinoisu kod istraživača Urbana-Champaign razvio je novi pristup kako bi poboljšao zelenu LED osvetljenost i poboljšao njegovu efikasnost.
Prof. Can Bayram, pomoćnik profesora elektrotehničkog i računarskog inženjerstva na Univerzitetu u Illinoisu, razvio je novi pristup kako bi poboljšao osvetljenost i efikasnost zelenih LED dioda. (Sve Izvor: Univerzitet Ilinois)
Koristeći industrijsko-standardnu poluvodičnu dugotrajnu kristalnu tehnologiju, istraživači su proizveli kristale galijum-nitrida (GaN) na silikonskim podlogama koje proizvode visokonaponsko zeleno svjetlo za osvetljenje čvrstog stanja.
"Ovo je revolucionarni proces u kojem istraživači uspevaju da proizvedu nove sirovine na prilagodljiv CMOS silikonski proces, koji je kvadratni galijum-nitrid (kubni GaN)", rekao je Can Bayram, pomoćnik profesora elektrotehničkog i računarskog inženjerstva na Univerzitetu u Illinoisu . ), Ovaj materijal se uglavnom koristi za emitere zelene talasne dužine.
Korišćenje poluprovodnika za senzaciju i komunikaciju radi otvaranja vidljivih komunikacionih aplikacija i optičke komunikacije je tehnologija koja u potpunosti menja aplikaciju svetlosti. LED diode koje podržavaju CMOS procese mogu postići brze, efikasne, male snage i multi-aplikativne zelene LED diode dok eliminišu troškove mnogih procesnih uređaja.
Obično GaN formira jednu ili dve kristalne strukture, heksagonalne ili kocke. Hexagonal GaN je termički stabilan i tradicionalna primena poluprovodnika. Međutim, heksagonalni GaN je skloni fenomenu polarizacije, a unutrašnje električno polje će biti negativni elektroni i pozitroni razdvojeni da bi ih spriječili vezivanja, što rezultira u efikasnosti izlaza svjetlosti.
Do sada istraživači mogu koristiti samo epitaksiju molekularnog zračnog snopa (epitaksija molekularnog snopa) kako bi se stvorio kvadratni GaN, ovaj proces je veoma skup i u usporedbi s procesom MOCVD-a veoma je vremena.
Istraživači su uspeli da proizvedu nove sirovine na podesivom CMOS silicijumskom procesu, koji je kvadratni galijum-nitrid, koji se prvenstveno koristi za emitere zelene talasne dužine.
Bajram je rekao: "Tehnologija litografije i izotropnih jezgre stvaraju U-redove žlebove na silicijumu, a ovaj sloj neprevodne barijere igra ključnu ulogu u oblikovanju heksagonala na kvadrat. Naš GaN nije unutrašnji Električno polje može odvojiti elektrone, tako da može da se preklapaju problemi, elektroni i rupe se brže kombinuju i izrađuju od svetlosti.
Bayram i Liu veruju da njihovi kvadratni GaN kristali mogu uspjeti da dopuste LED-u da stigne do nule (kapljice). Za zelenu, plavu ili UV lampu, svetlosna efikasnost ovih LED dioda postepeno će se odbiti s ulazom struje, tzv.
Ova studija pokazuje da polarizacija ima odlučujuću ulogu u problemu otkaza svetlosti, gurajući elektrone dalje od žljebova, naročito u malim ulaznim strujama. U slučaju nulte polarizacije, kvadratna LED dioda može postići deblji sloj koji emitira svetlost i rešava smanjenu preklapanje elektrona i žleba i preopterećenje struje.
Bolje zelena LED dioda će uspešno otvoriti nove LED osvetljenje. Na primjer, ove LED diode će emitovati bijelo svjetlo mešanjem i postizanjem uštede energije. Ostale napredne aplikacije uključuju i upotrebu ne-fluorescentnih zelenih LED eksternih paralelnih LED aplikacija, komunikaciju sa vodom i, na primjer, optičku genetiku i migrene i druge primjene u biotehnologiji.
http://www.luxsky-light.com
Srodne riječi:
IP65 LED paneli , UL LED paneli , LED profilna svetiljka , LED linearno rastuće svetlo , visoko lučno svetlo, linearno komercijalno osvetljenje
